目前(qian)電鍍電源應用(yòng)越來越廣，人們(men)對其品質要求(qiu)也越🆚來🆚越高🧑🏽🤝🧑🏻。随(sui)着半導體技術(shu)的進步，電鍍電(diàn)源逐漸向高頻(pín)高效化、大功率(lü)化發展，使得電(dian)鍍電源具有更(geng)高的功率密度(du)、快速的響應能(néng)力以及更小的(de)體積。但常規PWM變(bian)換技術是一種(zhong)硬開關模式，開(kai)關損耗大、器件(jiàn)溫🈲度過高等嚴(yán)重📞制約了👉開關(guan)電源工作頻率(lǜ)的提高，已經無(wú)法滿足✌️要求。軟(ruǎn)開關技術具有(yǒu)降低電力電子(zi)器件開關功耗(hào)、提高開關頻率(lǜ)、降低電磁幹擾(rao)、改善器件的工(gōng)作環境等優點(diǎn)，是✉️近10年來國際(ji)電力電子領域(yu)研☎️究的熱點⛷️。因(yīn)而，采用軟開關(guan)技術研究大功(gong)率✔️高頻軟開關(guān)電鍍電源是電(dian)鍍工藝發展的(de)必然。 
大功率高頻電(dian)鍍電源實際上(shang)是一種低壓大(dà)電流的整流裝(zhuang)置。通常采用PWM DC—DC移(yi)相全橋變換器(qì)拓撲。
由于PWM DC—DC移相(xiang)全橋變換器的(de)超前橋臂隻能(néng)實現ZVS，而滞後橋(qiao)臂可以實現ZVS和(hé)ZCS，可以将PWM DC—DC移相全(quan)橋1、變換器的軟(ruan)開關方式分為(wei)兩類：
(1)ZVS方式：零狀(zhuàng)态工作在恒流(liú)模式，超前橋臂(bi)和滞後橋臂均(jun)實現🔞ZVS，适合于電(diàn)力MOSFET;
(2)ZVZCS方式：零狀态(tai)工作在電流複(fú)位模式，超前橋(qiao)臂實現ZVS，滞後橋(qiao)臂實現ZCS，适合于(yu)IGBT。
2、 ZVSPWM DC-DC移相全橋變換(huan)器
基本ZVS PWM DC—DC移相全(quan)橋變換器，用變(biàn)壓器的漏感或(huò)原邊串👄聯電感(gǎn)和功率管的寄(ji)生電容或外接(jie)電容來實現零(líng)電壓開關。它的(de)電路結構如圖(tu)1所示。它是一種(zhǒng)具有優良性能(néng)的移相全橋變(biàn)換器，兩個橋臂(bi)的開關管均在(zai)零電壓軟開關(guan)條件下運行，開(kāi)關損耗小，而且(qiě)具有結構簡單(dan)、電源小☀️型化、高(gāo)頻化❄️的發展趨(qu)勢。但是移相全(quan)橋❄️ZVS變換器存在(zai)滞後橋臂ZVS實現(xian)比🍉較困難、副邊(bian)占空比損失和(hé)整🛀流橋寄生振(zhèn)蕩等問題。針對(dui)📱上述問題，國内(nèi)外文獻提出了(le)各種💘各🐇樣的拓(tuo)撲電路。 
